LEGM15BE120E1HZ,丽晶美能,IGBT 模块

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  LEGM35TD120E1HZ

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  LEGM100BH120L1H

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  LEGM25BE120E2HZ

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FS35R12W1T4

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FP25R12W2T4

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FF100R12RT4

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  FP15R12W1T4

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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• 全SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。

• 硅向碳化硅(SiC)过渡过程中变流器的设计有哪些问题？ 碳化硅器件变流器的设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，以确保其可靠性和性能。因此，设计师需要充分了解碳化硅器件的特性，并在设计时进行相应的调整，以确保变流器能够满足应用环境的要求

• 选择氮化镓(SiC)mosfet的5种重要技巧 为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。

• 为什么SiC MOS负压高会影响阀值漂移 SiC MOSFET 被负压影响阀值漂移是因为这种器件具有较高的漏电流，这会导致控制端电压与源端电压之间的差值变小，从而影响 MOSFET 的开关性能。此外，高负压还可能导致 MOSFET 进入破裂模式，并引发其他不良影响。

• 碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

• SiC MOSFET和Si IGBT驱动电路差异对比 SiC MOSFET与Si IGBT都是电子产品发展不可或缺的产品，SiC MOSFET与Si IGBT有很多的共同特性也有差异，那么下面就对其产品的差异进行一下对比：

• 单FET,MOSFET管应用场景有什么区别？ 单FET和MOSFET管在开关电路和功率放大器等应用中具有很广泛的应用前景，具体的选择要根据具体的应用场景和需求来决定。

• SiC芯片制造的主要6个环节 SiC芯片制造的主要6个具体流程：前处理，晶圆处理，晶体生长，集成电路设计与制作，晶片测试，整合。

• 碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用 碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

• 碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

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