FP25R12W2T4,英飞凌,IGBT 模块

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  FS35R12W1T4

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  FP15R12W1T4

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FF100R12RT4

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  LEGM25BE120E2HZ

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  LEGM35TD120E1HZ

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  LEGM15BE120E1HZ

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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• 全SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。

• SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

• 碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用 碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

• 低感SiC 功率模块介绍 低感SiC功率模块指的是使用硅碳化物（SiC）作为半导体材料的功率模块，具有较低的电感值。与传统的硅（Si）功率模块相比，低感SiC功率模块具有更高的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。

• 碳化硅(SiC)MOSFET芯片的设计与制造过程 对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。这篇文章将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程。

• 数字信号可以经过隔离芯片吗 数字信号可以经过隔离芯片吗？答案是可以的。数字信号可以经过隔离芯片进行传输。隔离芯片主要用于将信号隔离开来，以达到电气隔离、地隔离或光隔离等的目的。隔离芯片通常由两个部分组成：隔离前端和隔离后端。

• 碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

• SiC MOSFET和Si IGBT驱动电路差异对比 SiC MOSFET与Si IGBT都是电子产品发展不可或缺的产品，SiC MOSFET与Si IGBT有很多的共同特性也有差异，那么下面就对其产品的差异进行一下对比：

• 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些区别？ 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。

• SiC芯片制造的主要6个环节 SiC芯片制造的主要6个具体流程：前处理，晶圆处理，晶体生长，集成电路设计与制作，晶片测试，整合。

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