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C3M0380065P,广大,碳化硅MOSFET

C3M0380065P

碳化硅MOSFET ,C3M0380065P ,- ,- ,11A ,650V ,380mR ,PDFN5*6

图像仅供参考 详情请参照图纸

产品编号: MOS-SM1760000N11A650028GD
制造商产品编号: C3M0380065P
制造商 : 广大
系列 : 广大-碳化硅MOS
产品类型 : 碳化硅MOSFET
电流(ID) : 11A
电压(V) : 650V
封装 : PDFN5*6
说明: 碳化硅MOSFET ,C3M0380065P ,- ,- ,11A ,650V ,380mR ,PDFN5*6

系列介绍 查找相似

属性名称 属性值
制造商 GD sicsemi
产品系列 碳化硅MOS
产品类别 MOSFET
欧盟RoHS指令 符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规 不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)
电压 650V-3300V
电流 3A-165A
封装 TOLL TO252 TO220F PDFN5*6 TO263-3TO3PF-3 TO247-3 T0247-4

文件

文件类型 文件名
公司介绍 GD 公司简介.pdf
GD Profile_Intro.pdf
R02-1206-2K55B1V001FVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,1206 ,2.55K ,±0.1% ,1/4W(0.25W) ,- ,±15PPM
R02-2512-102KB1Q001JVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,2512 ,102K ,±0.1% ,3/4W(0.75W) ,- ,±50PPM
R13-0603-36R0J1X0000ZAS
抗硫化厚膜贴片电阻,0603,36R,±5%,1/10W,- ,-
R15-0603-9K53B1X001JVTQ0
车规电阻 ,0603 ,9.53K ,±0.1% ,1/10W,-,±50PPM
R27-0201-390RFAC001JVTR
薄膜贴片电阻 ,0201 ,390R ,±1% ,1/20W ,- ,±50PPM
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出货周期: 预计发货日期    2026-04-05

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