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C3M0380065P,广大,碳化硅MOSFET

C3M0380065P
新品

碳化硅MOSFET ,C3M0380065P ,- ,- ,11A ,650V ,380mR ,PDFN5*6

图像仅供参考 详情请参照图纸

产品编号: MOS-SM1760000N11A650028GD
制造商产品编号: C3M0380065P
制造商 : 广大
系列 : 广大-碳化硅MOS
产品类型 : 碳化硅MOSFET
电流(ID) : 11A
电压(V) : 650V
封装 : PDFN5*6
说明: 碳化硅MOSFET ,C3M0380065P ,- ,- ,11A ,650V ,380mR ,PDFN5*6

系列介绍 查找相似

属性名称 属性值
制造商 GD sicsemi
产品系列 碳化硅MOS
产品类别 MOSFET
欧盟RoHS指令 符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规 不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)
电压 650V-3300V
电流 3A-165A
封装 TOLL TO252 TO220F PDFN5*6 TO263-3TO3PF-3 TO247-3 T0247-4

文件

文件类型 文件名
公司介绍 GD Profile_Intro.pdf
GD 公司简介.pdf
R02-2010-32K4D1V001JVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,2010 ,32.4K ,±0.5% ,1/4W(0.25W) ,- ,±50PPM
R10-2512-931RF1R001MCUH
高功率厚膜贴片电阻 ,2512 ,931R ,±1% ,3W ,- ,±150PPM
R12-1206-7R50J2A0000EAS
抗浪涌厚膜贴片电阻 ,1206 ,7.5R ,5% ,1/3W ,- ,-
R15-0603-24R0C1X001EVTQ0
车规电阻 ,0603 ,24R ,±0.25% ,1/10W,-,±10PPM
R15-0805-45K3C1W001EVTQ0
车规电阻 ,0805 ,45.3K ,±0.25% ,1/8W ,-,±10PPM
R27-0201-309RFAC001EVTR
薄膜贴片电阻 ,0201 ,309R ,±1% ,1/20W ,- ,±10PPM
库存:0 到货通知

出货周期: 预计发货日期    2025-12-09

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