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C3M0380065P,广大,碳化硅MOSFET

C3M0380065P

碳化硅MOSFET ,C3M0380065P ,- ,- ,11A ,650V ,380mR ,PDFN5*6

图像仅供参考 详情请参照图纸

产品编号: MOS-SM1760000N11A650028GD
制造商产品编号: C3M0380065P
制造商 : 广大
系列 : 广大-碳化硅MOS
产品类型 : 碳化硅MOSFET
电流(ID) : 11A
电压(V) : 650V
封装 : PDFN5*6
说明: 碳化硅MOSFET ,C3M0380065P ,- ,- ,11A ,650V ,380mR ,PDFN5*6

系列介绍 查找相似

属性名称 属性值
制造商 GD sicsemi
产品系列 碳化硅MOS
产品类别 MOSFET
欧盟RoHS指令 符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规 不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)
电压 650V-3300V
电流 3A-165A
封装 TOLL TO252 TO220F PDFN5*6 TO263-3TO3PF-3 TO247-3 T0247-4

文件

文件类型 文件名
公司介绍 GD Profile_Intro.pdf
GD 公司简介.pdf
R01-0603-261KB1X001LVCR
厚膜贴片电阻 ,0603 ,261K ,0.1% ,1/10W ,- ,±100PPM
R02-1206-10R2C1V001EVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,1206 ,10.2R ,±0.25% ,1/4W(0.25W) ,- ,±10PPM
R10-2512-10R5F1R001LEHP0
高功率厚膜贴片电阻 ,2512 ,10.5R ,±1% ,3W ,- ,±100PPM
R11-0402-2K40F1Y001LVHR
高压厚膜贴片电阻 ,0402 ,2.4K ,±1% ,1/16W ,- ,±100PPM ,100V
R12-2512-54K9F1T0000ZRS
抗浪涌厚膜贴片电阻 ,2512 ,54.9K ,±1% ,1W ,- ,-
R31-0402-66K5C1X001JTQV0
高压薄膜贴片电阻 ,0402 ,66.5K ,±0.25% ,1/10W ,-,75V ,±50PPM
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出货周期: 预计发货日期    2026-09-11

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